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SIC³

A New Product to the Mix - SiC³ Silicon Carbide Coated Parts

Un nouveau produit arrive dans le catalogue Quartztec Europe : - Le SiC³ Silicon Carbide Coated Parts
Quartztec Europe est entré en partenariat avec Thermic Edge Limited pour fabriquer et fournir des produits de revetements par Carbure de Silicium à nos clients.

Le processus est unique puisqu'il combine une taille de cristal bien définie, une structure isotopique et une faible rugosité de surface. Le taux de croissance élevé obtenu par SiC³ garantit que le produit reste stable , performant et fabriqué à faible coût.

Le revêtement peut être utilisé dans les technologies MOCVD, Epi, LED et autres semi-conducteurs, aérospatiales ainsi que dans tout type de Taitement Thermique
Il consiste a fournir une couche de haute pureté et imperméable sur le graphite, la céramique poreuse et les composites.

Nos relations solides nous permettent de fournir un graphite de haute pureté dans notre gamme de produit , ce qui permet de fabriquer et de fournir une pièce de qualité supérieure.

Principales caractéristiques

Jusqu'à ∅350 Capacité de la chamber Structure cubique isotrope
Capacité de revêtir des trous ∅1mm Niveaux de haute pureté
Épaisseur de couche sur mesure Excellente conformité de revêtement et couverture des trous
Spécification de revêtement flexible Finition de surface au choix


Les propriétés générales

Ci-dessous, on illustre les propriétés typiques de SiC³.

Nous pouvons également travailler ensemble pour personnaliser ces propriétés , de l adapter a vos besoins , afin de fournir une piece unique et personnalisée.

Spécification SiC³

Propriété Valeur
Densité 3200 kg.m³
Structure en cristal 3C (cubic; β)
Porosité 0% (helium leak tight)
Taille de cristal 1 – 5 µm
Apparence visuelle Gris, satiné au terne
Expansion thermique (RT -400 ° C) 4.2 x 10ˉ⁶m.Kˉ¹
Conductivité thermique (@ 20 ° C) 200 W.m ˉ¹.K ˉ¹
Module d'élasticité 450 GPa
Résistivité électrique (@ 20 ° C) IMΩ.m

Element Impurities (ppm)
Sodium < 0.01
Magnesium < 0.01
Aluminium < 0.02
Potasium < 0.5* (lowest limit of detection with this method)
Calcium < 0.05
Titanium < 0.005
Vanadium < 0.005
Chromium < 0.3
Iron < 0.04
Cobolt < 0.05
Nickel < 0.05
Molybdenum < 0.05

XRD

Un schéma XRD est illustré ci-dessous. Les pics indiqués dans le diagramme correspondent parfaitement à la structure cristalline 3C.

Rugosité de surface

Un profil typique de rugosité de surface est présenté ci-dessous. Les paramètres de rugosité de surface sont Ra = 0,8 μm, Rz = 5 μm et Rt = 8 μm.


SEM

L'analyse SEM Surface and Fracture est illustrée dans les 2 images suivantes.


Analyse de surface et analyse de fracture

Un énorme avantage de SiC³ fabriqué par CVD Technology, ce type de procédé apportant une excellente profondeur de pénétration.
Les diamètres de trous inférieurs à 1 mm peuvent être revêtus de SiC3 sur une profondeur de 5 mm, tout en maintenant une épaisseur de couche de 30% à son point le plus profond.

Des épaisseurs de couches encore plus cohérentes peuvent être obtenues lorsque des trous de plus grand diamètre sont enrobés.


Couverture de petits trous