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SIC³
A New Product to the Mix - SiC³ Silicon Carbide Coated Parts
Unser neuestes Produkt – SiC3 Siliciumcarbid beschichtete Teile
Um unseren Kunden Siliciumcarbid beschichtete Produkte anbieten zu können, ist Quartztec Europe eine Partnerschaft mit der Thermic Edge Limited eingegangen.
Der spezielle Beschichtungsprozess ist gekennzeichnet durch eine gut definierte Kristallgröße, die Isotopenstruktur und niedrige Oberflächenrauigkeit. Die hohe Wachstumsrate des Materials SiC3 sorgt für kostengünstige Produkte.
Anwendung findet der Beschichtungsprozess sowohl in Halbleitertechnologien (MOCVD, Epi, LED, u.w.) aber auch in der Luft- und Raumfahrt sowie Heiztechnik. Vorausgesetzt sind hochreine und undurchlässige Schichten auf Graphit, durchlässige Keramiken und Verbundwerkstoffe. Unsere starken Beziehungen ermöglichen es uns, hochreines Graphit in unsere Produkte einzusetzen, um so ausschließlich hochwertige Teil herzustellen.
Hauptmerkmale
| Kammerkapazität bis zu einem ∅350 mm | isotrope kubische Struktur |
| Kapazitäten zum Mantel bis Loch ∅1 mm | hohe Reinheitsstufen |
| speziell angepasste Schichtdicken | ausgezeichnete Beschichtungskonformität und Lochabdeckung |
| flexible Beschichtungsspezifikation | anpassbare Oberflächen |
Allgemeine Eigenschaften
Im Nachfolgenden werden die charakteristischen Eigenschaften von SiC3 dargestellt.
Darüber hinaus sind wir in der Lage, auf Ihre individuellen Bedürfnisse einzugehen, um das für Ihren Anwendungsfall passende Produkt zu liefern.
SiC3 Eigenschaften
| Merkmal | Ausprägung |
| Dichte | 3200 kg.m³ |
| Kristallstruktur | 3C (cubic; β) |
| Porosität | 0% (helium leak tight) |
| Kristallgröße | 1 – 5 µm |
| Optik | grau, satin bis matt |
| thermische Ausdehnung (RT -400° C) | 4.2 x 10ˉ⁶m.Kˉ¹ |
| Wärmeleitfähigkeit (bei 20° C) | 200 W.m ˉ¹.K ˉ¹ |
| Elastizitätsmodul | 450 GPa |
| elektrischer Widerstand (bei 20° C) | IMΩ.m |
| Element | Impurities (ppm) |
| Sodium | < 0.01 |
| Magnesium | < 0.01 |
| Aluminium | < 0.02 |
| Potasium | < 0.5* (lowest limit of detection with this method) |
| Calcium | < 0.05 |
| Titanium | < 0.005 |
| Vanadium | < 0.005 |
| Chromium | < 0.3 |
| Iron | < 0.04 |
| Cobolt | < 0.05 |
| Nickel | < 0.05 |
| Molybdenum | < 0.05 |
XRD
Die im unten aufgeführten XRD-Diagramm dargestellten Peaks entsprechen einer perfekten 3C-Kristallstruktur.
Oberflächenrauheit
Ein typisches Oberflächenrauhigkeitsprofil ist nachfolgend dargestellt. Die Oberflächenrauhigkeitsparameter betragen hierbei: Ra = 0,8 μm, Rz = 5 μm und Rt = 8 μm.
SEM
Die Oberflächen- und Bruchbildanalyse wird in den folgenden Abbildungen gezeigt.
Oberflächen- und Bruchbildanalyse
Ein großer Vorteil, des durch die CVD Technologie hergestellten SiC3, ist seine „Tiefenwirkung" oder Eindringtiefe. So können Lochdurchmesser bis zu 1 mm mit einer Tiefe von 5 mm beschichtet werden, während hierbei immer noch 30% Schichtdicke an ihrer tiefsten Stelle beibehalten werden. Noch gleichmäßigere Schichtdicken sind möglich, wenn Löcher mit größerem Durchmesser beschichtet werden.
Deckschicht kleiner Löcher